检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

直流参数

MOSFET、IGBODE等模块产品；

检测电压：7500V 检测电流：6000A

*，IEC

雪崩能量

MOSFET、IGBODE，第三代半导体器件等单管器件

检测电压：2500V 检测电流：200A

美军标

栅电阻

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件

检测阻0.1Ω～50Ω

JEDEC

开关时间

MOSFET、IGBODE及第三代半导体单管器件；

检测电压：1200V 检测电流：200A

美军标，*，IEC等

开关时间

IGBT等模块产品

检测电压：2700V 检测电流：4000A

*，IEC

反向恢复

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压：1200V 检测电流：200A

美军标，*，IEC等

反向恢复

IGBT等模块产品

检测电压：2700V 检测电流：4000A

*，IEC

栅电荷

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压：1200V 检测电流：200A

美军标，*，IEC等

栅电荷

IGBT等模块产品

检测电压：2700V 检测电流：4000A

*，IEC

短路耐量能力

MOSFET、IGBODE及第三代半导体器件等单管器件

检测电压：1200V 检测电流：1000A

美军标，*，IEC等

短路耐量能力

IGBT等模块产品

检测电压：2700V 检测电流：10000A

*，IEC

结电容

MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

检测电压：3000V

IEC

参数曲线扫描

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线

检测电压：3000V 检测电流：1500A 温度：-70°C~180°C

美军标，IEC等

热阻性能

MOSFET、IGBODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品

功率：250W

美军标，JEDEC

热阻性能

IGBT等模块产品

功率：4000W

美军标，JEDEC

ESD能力

MOSFET、IGBT、IC等产品

HBM电压：8000V；MM电压：800V

美军标，ANSI，JEDEC等

*正向浪涌能力

DIODE（Si/SiC）、整流桥

检测电流：800A

美军标，*